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碳化硅微粉的化學除碳工藝
文章出處：金嶺環(huán)保點擊率：發(fā)布時間：17-08-21
碳化硅微粉加熱氧化除碳法：
通過對碳化硅微粉進行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧化反應，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實現(xiàn)了除碳的目的。
利用高溫煅燒出去碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)，該方法的最佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時間為3小時，碳化硅內(nèi)部的碳雜質(zhì)得到了完全去除。
以空氣為氧化介質(zhì)進行碳化硅微粉與碳雜質(zhì)的分離。實驗結(jié)果表明：當氧化溫度在450~560℃之間，氧化時間在4小時，雜質(zhì)炭的去除率可以達到98.6%~99.2%。
通過實驗分析可知，在一定的溫度及時間范圍內(nèi)，加熱氧化法對碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)去除率可達98%，但由于粒徑為微粉級的碳化硅表面積過大，如果加熱溫度過高，易造成碳化硅微粉的表面氧化，形成的氧化薄膜二氧化硅可能將碳微粉包裹，從而不利于碳雜質(zhì)的去除。
碳化硅微粉化學氧化除碳法：
利用硝酸、硫酸和高氯酸中的一種或組成混合酸使用，或者在酸中添加作無機氧化劑的高錳酸鉀和重鉻酸鉀，使碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)以氣體的形式揮發(fā)出去，從而實現(xiàn)了對石墨和游離碳的去除。
利用化學氧化法雖然也能使碳化硅微粉中的游離碳氧化成氣體揮發(fā)掉，但氧化工藝所添加的強氧化性酸對人體及及其都會有強烈的腐蝕性，所以不利于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。
